Karty micro SD z serii PHANES posiadają zaawansowany algorytm ECC

Karty micro SD z serii PHANES firmy APRO wprowadzone do oferty CSI ze względu na wysoką wydajność, dobrą niezawodność i szeroką kompatybilność dedykowane są do zastosowań półprzemysłowych i medycznych. Dzięki zaawansowanej technice oprogramowania układowego aSLC, przemysłowa seria tych kart łączy wyjątkową efektywność i wytrzymałość. Wszystko to w rozsądnym przedziale cenowym. Poniżej przedstawionych zostało kilka szczególnych zalet produktów i szczegółowa specyfikacja pozwalająca na porównanie produktów i dobór najlepszego rozwiązania w swoim przedsiębiorstwie. 

Korekcja błędów podczas zapisu i odczytu
Karty microSD z serii PHANES posiadają zaawansowany algorytm ECC, który może wykrywać i korygować błędy podczas zapisu i odczytu. Jest to istotna zaleta produktu chroniąca dane przed uszkodzeniem.

Global Wear-leveling
Karty Micro SD z tej serii cechują się długą żywotnością dzięki m.in. technologii Wear Leveling. Zużycie pamięci NAND Flash jest rozłożone w czasie przez co użytkownik cieszy się zakupionym produktem jeszcze dłużej, a co za tym idzie czyni oszczędności w swojej firmie.

Premium SMART Tool APRO
Funkcji S.M.A.R.T pozwala na obserwację stanu i kondycji kart micro SD. Komunikat ostrzegawczy pojawi się w momencie, gdy współczynnik żywotności wyniesie mniej niż 10%, gdy ilość nieprawidłowego włączania i wyłączania wyniesie ponad 3500 cykli i gdy jest mniej niż pięć dobrych bloków do zastąpienia nieprawidłowych bloków.

Inteligentna funkcja Auto-Read Refresh kart microSD z serii PHANES
Posiadają funkcję Auto-Read Refresh, aktywną głównie na urządzeniach, które dużo odczytują, ale rzadko zapisują dane, takich jak aplikacje GPS. Aby uniknąć błędów odczytu, automatycznie odświeży jeden blok, jeśli zbliży się do pewnej liczby błędów odczytu ECC.

Karty microSD z serii PHANES są również dostępne z technologią aSLC NAND flash. Ta technologia działa jak SLC, przechowując 1 bit na komórkę, a także zapewnia wyjątkową wydajność i 6-krotnie dłuższą wytrzymałość niż MLC z ponad 20 000 cykli P/E na komórkę.